RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Comparez
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Note globale
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
24
Autour de 4% latence réduite
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
23
24
Vitesse de lecture, GB/s
13.6
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2096
2703
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link