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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Comparez
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Note globale
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Note globale
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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Raisons de considérer
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
23
Autour de -15% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.1
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
23
20
Vitesse de lecture, GB/s
13.6
19.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
15.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2096
3410
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CAS Latency (CL) *
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calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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