RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Comparez
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Note globale
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Note globale
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
30
Autour de 23% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.6
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.4
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
23
30
Vitesse de lecture, GB/s
13.6
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
7.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2096
2154
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link