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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Comparez
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Note globale
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Note globale
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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Raisons de considérer
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.7
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
23
23
Vitesse de lecture, GB/s
13.6
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
14.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2096
3156
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
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