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Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Comparez
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Note globale
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Note globale
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
39
Autour de 36% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.2
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.5
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
39
Vitesse de lecture, GB/s
14.2
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
10.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2309
2443
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6000U4040E16G 16GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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