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Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Comparez
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB vs Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Note globale
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Note globale
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
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Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
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Raisons de considérer
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
39
Autour de -18% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
14
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
9.1
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
33
Vitesse de lecture, GB/s
14.0
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
9.1
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
21300
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2221
2824
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB Comparaison des RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
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