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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Note globale
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
40
Autour de -60% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.3
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
25
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
11.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2209
2912
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB Comparaison des RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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