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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Comparez
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Note globale
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Note globale
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Différences
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Raisons de considérer
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
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Raisons de considérer
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
40
Autour de -29% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.1
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
31
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2209
3123
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
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