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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Comparez
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Note globale
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Note globale
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
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Raisons de considérer
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
40
Autour de -5% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.2
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.8
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
38
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
9.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2209
2451
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
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Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
OCZ OCZ3F1600LV2G 2GB
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