RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Comparez
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Note globale
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
40
Autour de -29% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
31
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2209
3031
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB Comparaison des RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link