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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Comparez
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Note globale
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Note globale
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
44
Autour de 9% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.6
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.8
5.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
44
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
8.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
5.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2209
1660
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB Comparaison des RAM
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Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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