RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Comparez
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Note globale
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Note globale
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
44
Autour de 9% latence réduite
Raisons de considérer
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.9
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.6
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
44
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2209
2191
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB Comparaison des RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link