RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Comparez
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Note globale
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
67
Autour de 40% latence réduite
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
67
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
9.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2209
1879
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB Comparaison des RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link