RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Comparez
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB vs Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Note globale
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Note globale
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
41
Autour de -17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
35
Vitesse de lecture, GB/s
14.2
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2412
2903
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS8G3D1609DS1S00. 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link