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Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Comparez
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Note globale
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Note globale
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.2
11
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.9
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
41
Autour de -32% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
31
Vitesse de lecture, GB/s
14.2
11.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
8.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2412
2271
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS8G3D1609DS1S00. 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB Comparaison des RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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