RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Comparez
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB vs Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Note globale
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Note globale
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
41
Autour de -14% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
36
Vitesse de lecture, GB/s
14.2
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2412
2247
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS8G3D1609DS1S00. 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link