RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Comparez
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB vs Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Note globale
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Note globale
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
41
Autour de -46% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
28
Vitesse de lecture, GB/s
14.2
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2412
3244
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS8G3D1609DS1S00. 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Inmos + 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link