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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Comparez
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Note globale
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
33
Autour de 12% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.3
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
33
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
11.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2282
2919
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
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