RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Comparez
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB vs G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Note globale
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
65
Autour de 55% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.4
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
65
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2282
1836
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB Comparaison des RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston 9905428-123.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link