RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Comparez
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Note globale
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
44
Autour de -47% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.1
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
30
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
15.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2193
3728
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Nanya Technology M2F2G64CB88G7N-CG 2GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link