RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Comparez
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB vs Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Note globale
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Note globale
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
44
Autour de -52% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
29
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2193
3208
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link