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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Comparez
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Note globale
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Note globale
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
52
81
Autour de 36% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
8.5
4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
5.6
2,027.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
81
Vitesse de lecture, GB/s
4,837.1
8.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,027.0
5.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
794
1651
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Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Comparaison des RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
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