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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Comparez
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Note globale
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Note globale
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Différences
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Raisons de considérer
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
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Raisons de considérer
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
44
52
Autour de -18% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
8.5
4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
5.6
2,027.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
44
Vitesse de lecture, GB/s
4,837.1
8.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,027.0
5.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
794
1660
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FJ 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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