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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Comparez
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Note globale
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
20.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,027.0
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
52
Autour de -53% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
34
Vitesse de lecture, GB/s
4,837.1
20.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,027.0
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
794
3343
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FJ 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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