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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Comparez
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Note globale
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Note globale
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Différences
Spécifications
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Raisons de considérer
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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Raisons de considérer
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.8
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
29
Vitesse de lecture, GB/s
14.3
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
14.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2227
3637
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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