RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Comparez
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Note globale
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
29
Vitesse de lecture, GB/s
14.3
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2227
3091
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link