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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Comparez
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Note globale
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.9
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.3
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
29
Vitesse de lecture, GB/s
14.3
17.9
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
15.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2227
3567
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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