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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Comparez
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Note globale
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
34
Autour de 15% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.9
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
34
Vitesse de lecture, GB/s
14.3
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2227
3206
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
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