RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Comparez
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Note globale
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
36
Autour de 19% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.8
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
36
Vitesse de lecture, GB/s
14.3
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2227
3422
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link