RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Comparez
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Note globale
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Note globale
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
32
Autour de 9% latence réduite
Raisons de considérer
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
32
Vitesse de lecture, GB/s
14.3
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2227
2952
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link