RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Comparez
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Note globale
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
73
Autour de 60% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
73
Vitesse de lecture, GB/s
14.3
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
7.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2227
1853
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ME68FAF1600 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link