RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Comparez
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Note globale
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
41
Autour de 29% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
41
Vitesse de lecture, GB/s
14.3
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2227
2154
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link