RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Comparez
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Note globale
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Note globale
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
54
Autour de 46% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
54
Vitesse de lecture, GB/s
14.3
10.1
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2227
2313
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link