RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Comparez
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Note globale
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Note globale
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
48
Autour de 40% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
48
Vitesse de lecture, GB/s
14.3
11.5
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2227
2453
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link