RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Comparez
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Note globale
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Note globale
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
32
Autour de 9% latence réduite
Raisons de considérer
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
32
Vitesse de lecture, GB/s
14.3
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2227
3198
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link