RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Comparez
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.4
12
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
6.6
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
24
Vitesse de lecture, GB/s
12.0
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
6.6
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1433
2534
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB Comparaison des RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link