RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs AMD R9S48G3206U2S 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Note globale
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
20.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,378.6
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
62
Autour de -68% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
37
Vitesse de lecture, GB/s
4,670.6
20.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,378.6
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
861
3518
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB Comparaison des RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link