RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Note globale
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,378.6
14.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
62
Autour de -130% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
27
Vitesse de lecture, GB/s
4,670.6
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,378.6
14.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
861
3538
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB Comparaison des RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Elpida 99U5458-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link