RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Comparez
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Note globale
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Note globale
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
19.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,378.6
16.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
62
Autour de -130% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
27
Vitesse de lecture, GB/s
4,670.6
19.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,378.6
16.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
861
3909
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB Comparaison des RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link