Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

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Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    27 left arrow 28
    Autour de 4% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    18.1 left arrow 13.9
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    14.8 left arrow 8.4
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    17000 left arrow 10600
    Autour de 1.6 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    27 left arrow 28
  • Vitesse de lecture, GB/s
    13.9 left arrow 18.1
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    8.4 left arrow 14.8
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2251 left arrow 3564
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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