RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Note globale
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
36
Autour de 25% latence réduite
Raisons de considérer
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.1
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
36
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2251
2871
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link