RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
34
Autour de 21% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
34
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2251
3135
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX16 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link