RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Note globale
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
35
Autour de 23% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.1
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.6
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
35
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
9.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2251
2502
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston 99U5402-464.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Panram International Corporation M424016 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link