RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
38
Autour de 29% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
38
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2251
2908
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Samsung M393B2G70QH0-CMA 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link