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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Note globale
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Différences
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Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Raisons de considérer
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
27
Autour de -23% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.7
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
22
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2251
2633
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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