RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
32
Autour de 16% latence réduite
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.4
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
32
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2251
2933
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link