Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB

Note globale
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

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Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB

Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    22 left arrow 27
    Autour de -23% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    15.9 left arrow 13.9
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    9.5 left arrow 8.4
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    19200 left arrow 10600
    Autour de 1.81 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    27 left arrow 22
  • Vitesse de lecture, GB/s
    13.9 left arrow 15.9
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    8.4 left arrow 9.5
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2251 left arrow 2611
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons