RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Note globale
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
27
Autour de -23% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
22
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2251
2611
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link