RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Note globale
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
35
Autour de 23% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.2
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.7
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
35
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2251
2773
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link