RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Note globale
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
70
Autour de 61% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
70
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2251
2519
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link