RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
27
Autour de -17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
23
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2251
2619
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link